Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для генерирования, усиления и преобразования электрических сигналов. Основная функция транзистора – с помощью маломощного тока базы управлять током высокой мощности в коллекторе транзистора. Основная задача транзистора – усиливать и переключать сигналы.

Промышленность выпускает очень широкую номенклатуру транзисторов, которые отличаются по габаритам, мощности, быстродействию, частотному диапазону, допустимому току и напряжению.
В переводе с английского «транзистор» состоит из двух слов: «transfer» (переносить) и «resistor» (сопротивление). В буквальном переводе «переходное сопротивление». Более точно можна перевести термин транзистор как «переменное сопротивление», так как в электрических схемах транзисторы работают аналогично переменному сопротивлению.

Разница между ними только в том, что сопротивление переменного резистора меняется под действием механического воздействия, а у транзистора оно меняется посредством изменения напряжения подаваемого на управляющий электрод.

Обозначения и типы транзисторов.
Все транзисторы делятся на две большие группы. Первая группа – это полевые транзисторы (ПТ) или униполярные транзисторы, (международная класификация – Field Effect Transistor — FET).

Вторая группа – биполярные транзисторы (БТ) (международная класификация Bipolar Junction Transistor – BJT).

Биполярные транзисторы по типу проводимости делятся на транзисторы PNP-типа и транзисторы NPN-типа.
Полевые транзисторы делятся на транзисторы и с изолированным затвором (MOSFET- Metal-Oxide-Semiconductor FET) и с PN-переходом (JFET — Junction FET) .

Применение транзисторов.

Биполярные транзисторы наиболее распространены в аналоговой схемотехнике.
Более всего они востребованы в качестве ключей и усилителей в дискретных цепях, а также в схемах на аналоговых и цифровых микросхемах.

В цифровой электронике лидирующие позиции занимают перспективные транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), которые многократно превосходят БТ в экономчности и скорости.